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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IDSR010.T	文件：241.98 Kbytes Page：4 Pages	ClassRK5FusesIDSRSeries Description TheIDSRseriescombinesa600Vdccapabilitywithindicationtoprovideanidealsolutionformanydcapplications. Features&Benefits Excellentshort-circuitprotection-Improvesafetythroughfasterresponsetofaultcurrents Dual-elementdesign-Providesadvancedshortci	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
IL010	文件：481 Kbytes Page：2 Pages	AdmiralClass-LeadWires	ENSIGN Ensign Corporation	ENSIGN
IMC010FLSA	文件：548.17 Kbytes Page：39 Pages	SERIES2FLASHMEMORYCARDSiMC002FLSA,iMC004FLSA,iMC010FLSA,iMC020FLSA Intel’sSeries2FlashMemoryCardfacilitateshigh-performancediskemulationinmobilePCsanddedicatedequipment.ManufacturedwithIntel’sETOXTMIII0.8m,FlashFileMemorydevices,theSeries2Cardallowscodeanddataretentionwhileerasingand/orwritingotherblocks.Additionally,theS	IntelIntel Corporation 英特爾	Intel
I-P010A	文件：1.22113 Mbytes Page：32 Pages	2autoswitchescanbemountedonacylinder,evenwiththe?4boresize(5mmstroke).	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類(lèi)制造商	ETC
IRFD010	文件：442.41 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETTRANSISTORSN-CHANNELHEXDIP 50Volts,0.20Ohm,1-WattHEXDIP	IRF International Rectifier	IRF
IRFR010	文件：287.41 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFR010	文件：1.67749 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR010	文件：275.94 Kbytes Page：8 Pages	AVALANCHEANDdv/dtRATED	IRF International Rectifier	IRF
IRFR010	文件：4.60859 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR010	文件：320.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR010	文件：325.95 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Lowdrivecurrent ?Surface-mount ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Excellenttemperaturestability ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’s advancedlin	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR010PBF	文件：1.67749 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR010PBF	文件：4.60859 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR010PBF	文件：325.95 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR010TRLPBF	文件：325.95 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFU010	文件：345.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
ICTE-010
功能描述：
TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 10V 1500W
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
極性：
Bidirectional
擊穿電壓：
58.9 V
鉗位電壓：
77.4 V
峰值浪涌電流：
38.8 A
封裝/箱體：
DO-214AB
最小工作溫度：
- 55 C
最大工作溫度：
+ 150 C

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	ICTE-010	onsemi(安森美)	23+	-	7683	正規(guī)渠道,大量現(xiàn)貨,只等你來(lái)。	詢(xún)價(jià)
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更多ICTE-010供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-24 15:14:00

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