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70T651S12BCI8

HIGH-SPEED2.5V256/128Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    IDT70T651S12BCI8

  • 功能描述:

    IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA

  • RoHS:

  • 類別:

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    3,000

  • 系列:

    - 格式 -

  • 存儲器:

    EEPROMs - 串行

  • 存儲器類型:

    EEPROM

  • 存儲容量:

    8K(1K x 8)

  • 速度:

    400kHz

  • 接口:

    I²C,2 線串口

  • 電源電壓:

    1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    8-SOIC

  • 包裝:

    帶卷(TR)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IDT
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256-CABGA(17x17)
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專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價(jià)格優(yōu)勢!
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更多IDT70T651S12BCI8供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-21 16:30:00