首頁>IDT70V631S10BC>芯片詳情

IDT70V631S10BC_IDT_IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA千層芯半導(dǎo)體

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    IDT70V631S10BC

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    IDT

  • 庫存數(shù)量：

    6800

  • 產(chǎn)品封裝：

    LBGA-256

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-16 14:26:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：IDT70V631S10BC品牌：IDT

100%原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,歡迎來電咨詢

  • 芯片型號(hào)：

    IDT70V631S10BC

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IDT詳情

  • 廠商全稱：

    Integrated Device Technology, Inc.

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    23 頁

  • 文件大?。?/span>

    306.74 kb

  • 資料說明：

    HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    IDT70V631S10BC

  • 功能描述：

    IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲(chǔ)器

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    2,500

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲(chǔ)器：

    EEPROMs - 串行

  • 存儲(chǔ)器類型：

    EEPROM

  • 存儲(chǔ)容量：

    1K(128 x 8)

  • 速度：

    100kHz

  • 接口：

    UNI/O?（單線）

  • 電源電壓：

    1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 寬）

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    8-MSOP

  • 包裝：

    帶卷(TR)

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    羅先生,張先生,吳小姐

  • 手機(jī)：

    18998940267

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83978748/0755-23611964

  • 傳真：

    0755-23611964

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)振興路109號(hào)華康大院2棟2層216-1

相近型號(hào)