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IDT70V658S12BCI	文件：316.76 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Description TheIDT70V659/58/57isahigh-speed128/64/32Kx36AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70V659/58/57isdesignedtobeusedasastand-alone4/2/1MbitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor72-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTERSLAVEDual-Por	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT70V658S12BCI	文件：203.65 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 64K X 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V658S12BC	文件：321.08 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V658S12BCG	文件：200.22 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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70V658S12BCI	文件：321.08 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V658S12BF	文件：321.08 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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70V658S12BFGI	文件：321.08 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V658S12BFI	文件：321.08 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V658S12DRG	文件：200.22 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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IDT70V658S12BC	文件：316.76 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Description TheIDT70V659/58/57isahigh-speed128/64/32Kx36AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70V659/58/57isdesignedtobeusedasastand-alone4/2/1MbitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor72-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTERSLAVEDual-Por	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT70V658S12BC	文件：203.65 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V64KX36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT70V658S12BF	文件：203.65 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V64KX36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT70V658S12BF	文件：316.76 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Description TheIDT70V659/58/57isahigh-speed128/64/32Kx36AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70V659/58/57isdesignedtobeusedasastand-alone4/2/1MbitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor72-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTERSLAVEDual-Por	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

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詳細參數(shù)

型號：
IDT70V658S12BCI
功能描述：
IC SRAM 2MBIT 12NS 256BGA
RoHS：
否
類別：
集成電路(IC) >> 存儲器
系列：
-
標準包裝：
3,000
系列：
- 格式 -
存儲器：
EEPROMs - 串行
存儲器類型：
EEPROM
存儲容量：
8K(1K x 8)
速度：
400kHz
接口：
I²C，2 線串口
電源電壓：
1.7 V ~ 5.5 V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：
8-SOIC
包裝：
帶卷(TR)

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IDT70V658S12BCI供應商更新時間2024-11-6 15:20:00

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