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70V7339S133BF8

HIGH-SPEED3.3V512Kx18SYNCHRONOUSBANK-SWITCHABLEDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features: ◆512Kx18SynchronousBank-SwitchableDual-ported SRAMArchitecture –64independent8Kx18banks –9megabitsofmemoryonchip ◆Bankaccesscontrolledviabankaddresspins ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4ns(200MHz)/3.6ns(166MHz)/ 4.2ns(133MHz)(max.) –Indust

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IDT70V7339S133BF8

  • 功能描述：

    IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    3,000

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲器：

    EEPROMs - 串行

  • 存儲器類型：

    EEPROM

  • 存儲容量：

    8K(1K x 8)

  • 速度：

    400kHz

  • 接口：

    I²C，2 線串口

  • 電源電壓：

    1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    8-SOIC

  • 包裝：

    帶卷(TR)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IDT
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208-CABGA(15x15)
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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更多IDT70V7339S133BF8供應(yīng)商 更新時間2025-1-19 10:50:00

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