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IDT71024S20TY

CMOS STATIC RAM 1 MEG (128K x 8-BIT)

DESCRIPTION: TheIDT71024isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shighperformance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstateof-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71024S20TY

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：32-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

Renesas Electronics America Inc

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IDT71024S20TYI

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：32-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

Renesas Electronics America Inc

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IDT71024S20TYI8

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：32-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

Renesas Electronics America Inc

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71024S20TYG

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71024S20TYGI

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71024S20YG

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71024S20YGI

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆Commercial(0°Cto+70°C),Industrial(–40°Cto+85°C) ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆TwoChipSelectsplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionalinputsandoutputsdirectly TTL-compatible ◆

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71024S20LB

CMOSSTATICRAM1MEG(128Kx8-BIT)

DESCRIPTION: TheIDT71024isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shighperformance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstateof-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71024S20Y

CMOSSTATICRAM1MEG(128Kx8-BIT)

DESCRIPTION: TheIDT71024isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shighperformance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstateof-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

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Integrated Device Technology, Inc.

IDT71024S20YG

CMOSStaticRAM1Meg(128Kx8-Bit)

Description TheIDT71024isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.Itisfabricatedusinghigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-spe

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71024S20YI

CMOSSTATICRAM1MEG(128Kx8-BIT)

DESCRIPTION: TheIDT71024isa1,048,576-bithigh-speedstaticRAMorganizedas128Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shighperformance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstateof-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產品屬性

  • 產品編號：

    IDT71024S20TY

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    1Mb（128K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    20ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    32-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    32-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IDT
23+
32300MILSOJ
9526
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SOJ32
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更多IDT71024S20TY供應商 更新時間2024-12-22 21:47:00

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