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7164S25DB

CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

7164S25DGI

CMOSStaticRAM64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7164S25TDB

CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

7164S25TDGI

CMOSStaticRAM64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7164S25TPG

CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

7164S25TPGI

CMOSStaticRAM64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7164S25YG

CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

7164S25YGI

CMOSStaticRAM64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7164S25YGI

CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT7164S25D

CMOSSTATICRAM64K(8Kx8-BIT)

Description TheIDT7164isa65,536bithigh-speedstaticRAMorganizedas8Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. Addressaccesstimesasfastas15nsareavailableandthecircuitoffersareducedpowerstandbymode.WhenCS1goesHIGHorCS

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IDT7164S25YGI

  • 功能描述：

    IC SRAM 64KBIT 25NS 28SOJ

  • RoHS：

    是

  • 類(lèi)別：

    集成電路(IC) >> 存儲(chǔ)器

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    72

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲(chǔ)器：

    RAM

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型：

    SRAM - 同步

  • 存儲(chǔ)容量：

    4.5M（256K x 18）

  • 速度：

    133MHz

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    3.135 V ~ 3.465 V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C

  • 封裝/外殼：

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    100-TQFP（14x20）

  • 包裝：

    托盤(pán)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IDT
23+
28-SOJ
71890
專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)產(chǎn)品!原裝正品!價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
 詢(xún)價(jià)
IDT
24+
28SOJ
7889
原裝現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
IDT
22+
28SOJ
9000
原廠(chǎng)渠道,現(xiàn)貨配單
 詢(xún)價(jià)
IDT
21+
28SOJ
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢(xún)價(jià)
IDT
23+
28SOJ
9000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢(xún)價(jià)
IDT
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠(chǎng)免費(fèi)送樣
 詢(xún)價(jià)
IDT
24+
PLCC
8
詢(xún)價(jià)
IDT
24+
PLCC
2700
全新原裝自家現(xiàn)貨優(yōu)勢(shì)!
 詢(xún)價(jià)
IDT
23+
PLCC32
10000
原廠(chǎng)授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢(xún)價(jià)
IDT
2023+
PLCC32
50000
原裝現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
更多IDT7164S25YGI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-6 10:50:00

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