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IDT7164S35Y

CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)

Description TheIDT7164isa65,536bithigh-speedstaticRAMorganizedas8Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. Addressaccesstimesasfastas15nsareavailableandthecircuitoffersareducedpowerstandbymode.WhenCS1goesHIGHorCS

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT7164S35YB

CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)

Description TheIDT7164isa65,536bithigh-speedstaticRAMorganizedas8Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. Addressaccesstimesasfastas15nsareavailableandthecircuitoffersareducedpowerstandbymode.WhenCS1goesHIGHorCS

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT7164S35YG8

Package：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT7164S35YGI

Package：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT7164S35YGI8

Package：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

7164S35DB

CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

7164S35DGI

CMOSStaticRAM64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7164S35TDB

CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

7164S35TDGI

CMOSStaticRAM64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7164S35TPGI

CMOSStaticRAM64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IDT7164S35Y

  • 功能描述：

    IC SRAM 64KBIT 35NS 28SOJ

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品變化通告：

    Product Discontinuation 26/Apr/2010

  • 標準包裝：

    136

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲器：

    RAM

  • 存儲器類型：

    SRAM - 同步，DDR II

  • 存儲容量：

    18M（1M x 18）

  • 速度：

    200MHz

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    1.7 V ~ 1.9 V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C

  • 封裝/外殼：

    165-TBGA

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    165-CABGA（13x15）

  • 包裝：

    托盤

  • 其它名稱：

    71P71804S200BQ

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IDT
05+
原廠原裝
4322
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
IDT
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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13+
NA
2630
全新進口原裝
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IDT
23+
SOJ
65480
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IDT
23+
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2630
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
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3200
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售
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SOJ-28P
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原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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IDT
2021+
NA
2630
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十
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IDT
23+
NA
20000
全新原裝假一賠十
 詢價
更多IDT7164S35Y供應(yīng)商 更新時間2025-3-3 10:35:00

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