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71V016SA12YG8

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V016SA12YG8

3.3VCMOSStaticRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IDT71V016SA12YG8

  • 功能描述：

    IC SRAM 1MBIT 12NS 44SOJ

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    2,000

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲器：

    RAM

  • 存儲器類型：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    256K(32K x 8)

  • 速度：

    15ns

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    3 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    28-TSSOP（0.465，11.8mm 寬）

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    28-TSOP

  • 包裝：

    帶卷(TR)

  • 其它名稱：

    71V256SA15PZGI8

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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23+
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更多IDT71V016SA12YG8供應(yīng)商 更新時間2025-2-6 14:00:00

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