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IDT71V25761YSA200BG8

包裝:托盤 封裝/外殼:119-BGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IDT71V25761YSA200BG8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,SDR

  • 存儲(chǔ)容量:

    4.5Mb(128K x 36)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    119-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    119-PBGA(14x22)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IDT
23+
119-PBGA(14x22)
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更多IDT71V25761YSA200BG8供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-27 16:47:00