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71V3556S100PFG

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-166MHz(x36) (3.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆Pos

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V3556S100PFGI

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-166MHz(x36) (3.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆Pos

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瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IDT71V3556S100PFGI

  • 功能描述：

    IC SRAM 4MBIT 100MHZ 100TQFP

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    2,000

  • 系列：

    MoBL® 格式 -

  • 存儲器：

    RAM

  • 存儲器類型：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    16M（2M x 8，1M x 16）

  • 速度：

    45ns

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    2.2 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    48-VFBGA

  • 供應商設備封裝：

    48-VFBGA（6x8）

  • 包裝：

    帶卷(TR)

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IDT71V3556S100PFGI供應商 更新時間2024-11-8 10:50:00

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