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IDT71V3556S166BGI

包裝：托盤 封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71V3556S166BGI8

包裝：托盤 封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V3556S166PFG

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-166MHz(x36) (3.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆Pos

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V3556S166PFGI

128Kx36,256Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs

Features ◆128Kx36,256Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-166MHz(x36) (3.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆Pos

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IDT71V3556S166BGI

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR（ZBT）

  • 存儲容量：

    4.5Mb（128K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    119-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    119-PBGA（14x22）

  • 描述：

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IDT
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119-PBGA(14x22)
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更多IDT71V3556S166BGI供應(yīng)商 更新時間2025-1-6 16:31:00

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