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IDT71V3557S75BG中文資料IDT數據手冊PDF規(guī)格書

IDT71V3557S75BG
廠商型號

IDT71V3557S75BG
功能描述

128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
文件大小

996.97 Kbytes
頁面數量

28 頁
生產廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-1-2 17:37:00

IDT71V3557S75BG規(guī)格書詳情

Description

The IDT71V3557/59 are 3.3V high-speed 4,718,592-bit (4.5 Mega-bit) synchronous SRAMs organized as 128K x 36/256K x 18. They are designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus they have been given the name ZBTTM, or Zero Bus Turnaround.

Features

◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations

◆ Supports high performance system speed - 100 MHz (7.5 ns Clock-to-Data Access)

◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles

◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE

◆ Single R/W (READ/WRITE) control pin

◆ 4-word burst capability (Interleaved or linear)

◆ Individual byte write (BW1 - BW4) control (May tie active)

◆ Three chip enables for simple depth expansion

◆ 3.3V power supply (±5), 3.3V (±5) I/O Supply (VDDQ)

◆ Optional Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 complaint)

◆ Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch ball grid array (fBGA)

產品屬性

  • 型號：

    IDT71V3557S75BG

  • 功能描述：

    IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    2,000

  • 系列：

    MoBL® 格式 -

  • 存儲器：

    RAM

  • 存儲器類型：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    16M（2M x 8，1M x 16）

  • 速度：

    45ns

  • 接口：

    并聯

  • 電源電壓：

    2.2 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    48-VFBGA

  • 供應商設備封裝：

    48-VFBGA（6x8）

  • 包裝：

    帶卷(TR)

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IDT
23+
119-PBGA(14x22)
36430
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IDT, Integrated Device Techno
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