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IDT71V3559S80PF集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IDT71V3559S80PF |
| 參數(shù)屬性 | IDT71V3559S80PF 封裝/外殼為100-LQFP；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
| 功能描述 | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| 封裝外殼 | 100-LQFP |
| 文件大小 |
996.97 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
28 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Device Technology, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
IDT |
| 中文名稱 | Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-17 14:56:00 |
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IDT71V3559S80PF規(guī)格書詳情
Description
The IDT71V3557/59 are 3.3V high-speed 4,718,592-bit (4.5 Mega-bit) synchronous SRAMs organized as 128K x 36/256K x 18. They are designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus they have been given the name ZBTTM, or Zero Bus Turnaround.
Features
◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations
◆ Supports high performance system speed - 100 MHz (7.5 ns Clock-to-Data Access)
◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles
◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE
◆ Single R/W (READ/WRITE) control pin
◆ 4-word burst capability (Interleaved or linear)
◆ Individual byte write (BW1 - BW4) control (May tie active)
◆ Three chip enables for simple depth expansion
◆ 3.3V power supply (±5), 3.3V (±5) I/O Supply (VDDQ)
◆ Optional Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 complaint)
◆ Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch ball grid array (fBGA)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IDT71V3559S80PF
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
- 存儲容量：
4.5Mb（256K x 18）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
100-LQFP
- 供應(yīng)商器件封裝：
100-TQFP（14x14）
- 描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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