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IDT71V35761S183PF中文資料IDT數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IDT71V35761S183PF
廠商型號

IDT71V35761S183PF
參數(shù)屬性

IDT71V35761S183PF 封裝/外殼為100-LQFP；包裝為托盤；類別為集成電路（IC） > 存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
功能描述

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
文件大小

282.83 Kbytes
頁面數(shù)量

22 頁
生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-7 20:00:00

IDT71V35761S183PF規(guī)格書詳情

Description

The IDT71V35761/781 are high-speed SRAMs organized as 128K x 36/256K x 18. The IDT71V35761/781 SRAMs contain write, data, address and control registers. Internal logic allows the SRAM to generate a self-timed write based upon a decision which can be left until the end of the write cycle.

Features

◆128K x 36, 256K x 18 memory configurations

◆Supports high system speed:

Commercial:

– 200MHz 3.1ns clock access time

Commercial and Industrial:

– 183MHz 3.3ns clock access time

– 166MHz 3.5ns clock access time

◆LBOinput selects interleaved or linear burst mode

◆Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx)

◆3.3V core power supply

◆Power down controlled by ZZ input

◆3.3V I/O

◆Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 compliant)

◆Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch ball grid array

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IDT71V35761S183PF

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR

  • 存儲容量：

    4.5Mb（128K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    100-LQFP

  • 供應商器件封裝：

    100-TQFP（14x14）

  • 描述：

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IDT
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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IDT
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