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IDT71V35761S166PF集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IDT71V35761S166PF
廠商型號

IDT71V35761S166PF

參數(shù)屬性

IDT71V35761S166PF 封裝/外殼為100-LQFP;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

功能描述

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

封裝外殼

100-LQFP

文件大小

282.83 Kbytes

頁面數(shù)量

22

生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-17 12:33:00

IDT71V35761S166PF規(guī)格書詳情

Description

The IDT71V35761/781 are high-speed SRAMs organized as 128K x 36/256K x 18. The IDT71V35761/781 SRAMs contain write, data, address and control registers. Internal logic allows the SRAM to generate a self-timed write based upon a decision which can be left until the end of the write cycle.

Features

◆128K x 36, 256K x 18 memory configurations

◆Supports high system speed:

Commercial:

– 200MHz 3.1ns clock access time

Commercial and Industrial:

– 183MHz 3.3ns clock access time

– 166MHz 3.5ns clock access time

◆LBOinput selects interleaved or linear burst mode

◆Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write enable (BWE), and byte writes (BWx)

◆3.3V core power supply

◆Power down controlled by ZZ input

◆3.3V I/O

◆Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 compliant)

◆Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch ball grid array

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IDT71V35761S166PF

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,SDR

  • 存儲容量:

    4.5Mb(128K x 36)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    100-TQFP(14x14)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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