精品免费国产一区二区三区,国产在线观看91精品不卡

<small id="gj4yh"><menu id="gj4yh"></menu></small>

<label id="gj4yh"></label>

<ins id="gj4yh"></ins>

<ins id="gj4yh"><th id="gj4yh"></th></ins>

<nobr id="gj4yh"><span id="gj4yh"><optgroup id="gj4yh"></optgroup></span></nobr>

<rt id="gj4yh"><tr id="gj4yh"></tr></rt>

首頁 >IDT71V416L10Y>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IDT71V416L10Y	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
IDT71V416L10YG	文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V416L10YGI	文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V416L10YI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
IDT71V416L10YI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71V416L10BEG	文件：645.53 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71V416L10BEGI	文件：645.53 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71V416L10PHG	文件：645.53 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71V416L10PHGI	文件：645.53 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71V416L10YG	文件：645.53 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71V416L10YGI	文件：645.53 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V416L10BEG	文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V416L10BEGI	文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V416L10BEI	文件：107.36 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V416L10PHG	文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V416L10PHGI	文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IDT71V416L10Y
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
托盤
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 異步
存儲容量：
4Mb（256K x 16）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
10ns
電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
44-SOJ
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	IDT71V416L10Y	IDT	24+	SOJ-44	4650		詢價
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	IDT71V416L10Y	IDT	23+	44-SOJ	24840	專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價格優(yōu)勢!	詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	IDT71V416L10Y	IDT	23+	44SOJ	9526		詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	IDT71V416L10Y	IDT, Integrated Device Technol	24+	44-SOJ	56200	一級代理/放心采購	詢價
深圳市興燦科技有限公司	IDT71V416L10Y	IDT	24+	44-SOJ	6065	原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市科雨電子有限公司	IDT71V416L10Y	IDT	20+	SOP-44	1001	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IDT71V416L10Y	IDT	22+	44SOJ	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
深圳市芯福林電子科技有限公司	IDT71V416L10Y	IDT	21+	44SOJ	13880	公司只售原裝,支持實單	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IDT71V416L10Y	IDT	23+	44SOJ	9000	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IDT71V416L10Y	IDT, Integrated Device Techno	23+	44-SOJ	7300	專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨	詢價

更多IDT71V416L10Y供應(yīng)商更新時間2024-12-28 14:04:00

客戶服務(wù) 網(wǎng)站合作

Tel：+86-755-8246-9263
Email：114ic＠114ic.com
投訴建議：web＠114ic.com

Copyright ? 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粵ICP備05011613號粵公網(wǎng)安備 44030402000933號

<code id="p8nfv"></code>

<li id="p8nfv"><input id="p8nfv"><xmp id="p8nfv">

<rt id="p8nfv"></rt>