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71V424S10YG8

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(512Kx8-Bit)

Features ◆512Kx8advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆JEDECCenterPower/GNDpinoutforreducednoise ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:10/12/15ns ◆Single3.3Vpowersupply ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputs

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V424S10YG8

3.3VCMOSStaticRAM

Description TheIDT71V424isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas512Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    IDT71V424S10YG8

  • 功能描述:

    IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ

  • RoHS:

  • 類別:

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - 格式 -

  • 存儲器:

    閃存

  • 存儲器類型:

    閃存 - NAND

  • 存儲容量:

    4G(256M x 16)

  • 速度:

    -

  • 接口:

    并聯(lián)

  • 電源電壓:

    2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C

  • 封裝/外殼:

    48-TFSOP(0.724,18.40mm 寬)

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    48-TSOP I

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 其它名稱:

    557-1461-6

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IDT71V424S10YG8供應(yīng)商 更新時間2025-1-1 12:11:00