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IDT71V65802

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65802S100BG

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65802S-100BG

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65802S100BGI

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65802S-100BGI

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65802S100BQ

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65802S-100BQ

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65802S100BQI

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65802S-100BQI

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65802S100PF

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IDT71V65802

  • 功能描述：

    IC SRAM 9MBIT 100MHZ 119BGA

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準包裝：

    576

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲器：

    閃存

  • 存儲器類型：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    512M（64M x 8）

  • 速度：

    -

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    48-TFSOP（0.724，18.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    48-TSOP

  • 包裝：

    托盤

  • 其它名稱：

    497-5040

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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