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IE18085P

GaN Power Transistors

RFHIC

rfhic

MRF18085A

RFPowerFieldEffectTransistors

DesignedforGSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1800to2000MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplications.SpecifiedforGSM-GSMEDGE1805-1880MHz. ?GSMandGSMEDGEP

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF18085A

TheRFMOSFETLineRFPowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforGSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.8to2.0GHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN–PCS/cellu

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF18085B

RFPowerFieldEffectTransistors

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforGSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.9to2.0GHz.SuitableforTDMA,CDMA,andmulticarrieramplifierapplications. ?GSMandGSMEDGEPerformance,FullF

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF18085B

RFPowerFieldEffectTransistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforGSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.SuitableforTDMA,CDMA,andmulticarrieramplifierapplications. ?GSMandGSMEDGEPerformance,FullFrequencyBand(193

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

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更多IE18085P供應商 更新時間2025-1-5 11:00:00

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