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首頁(yè)>IGB01N120H2ATMA1>芯片詳情
IGB01N120H2 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌
- 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):IGB01N120H2品牌:INFINEON
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
IGB01N120H2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝D2PAK(TO-/TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB的IGB01N120H2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
IGB01N120H2ATMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.8V @ 15V,1A
- 開關(guān)能量:
140μJ
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
13ns/370ns
- 測(cè)試條件:
800V,1A,241 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TO263-3-2
- 描述:
IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
許小姐
- 手機(jī):
13530520535
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-83201583/83214703
- 傳真:
0755-22669259
- 地址:
福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室
相近型號(hào)
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