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    IGB01N120H2ATMA1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

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    原廠料號(hào):IGB01N120H2ATMA1品牌:Infineon Technologies

    原裝正品,支持實(shí)單

    IGB01N120H2ATMA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO26332/TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB的IGB01N120H2ATMA1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

    • 芯片型號(hào):

      IGB01N120H2ATMA1

    • 規(guī)格書(shū):

      下載 下載2

    • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

      INFINEON【英飛凌】詳情

    • 廠商全稱(chēng):

      Infineon Technologies AG

    • 中文名稱(chēng):

      英飛凌科技股份公司

    • 資料說(shuō)明:

      IGBT PRODUCTS - Tape and Reel

    產(chǎn)品屬性

    更多
    • 類(lèi)型

      描述

    • 產(chǎn)品編號(hào):

      IGB01N120H2ATMA1

    • 制造商:

      Infineon Technologies

    • 類(lèi)別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

    • 包裝:

      管件

    • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

      2.8V @ 15V,1A

    • 開(kāi)關(guān)能量:

      140μJ

    • 輸入類(lèi)型:

      標(biāo)準(zhǔn)

    • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

      13ns/370ns

    • 測(cè)試條件:

      800V,1A,241 歐姆,15V

    • 工作溫度:

      -40°C ~ 150°C(TJ)

    • 安裝類(lèi)型:

      表面貼裝型

    • 封裝/外殼:

      TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      PG-TO263-3-2

    • 描述:

      IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2

    供應(yīng)商

    • 企業(yè):

      易創(chuàng)佳業(yè)科技(深圳)有限公司

    • 商鋪:

      進(jìn)入商鋪

    • 聯(lián)系人:

      周小姐

    • 手機(jī):

      13570897296

    • 詢(xún)價(jià):
    • 電話:

      0755-28018831

    • 地址:

      深圳市龍華區(qū)民治街道金地梅龍鎮(zhèn)2棟3單元8C