訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
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1+ |
- 廠家型號(hào):
IGB03N120H2
- 產(chǎn)品分類:
芯片
- 生產(chǎn)廠商:
- 庫(kù)存數(shù)量:
7435
- 產(chǎn)品封裝:
標(biāo)準(zhǔn)封裝
- 生產(chǎn)批號(hào):
23+
- 庫(kù)存類型:
- 更新時(shí)間:
2024-11-17 9:38:00
首頁(yè)>IGB03N120H2ATMA1>芯片詳情
訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
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1+ |
芯片
7435
標(biāo)準(zhǔn)封裝
23+
2024-11-17 9:38:00
原廠料號(hào):IGB03N120H2品牌:Infineon(英飛凌)
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開(kāi)票。
IGB03N120H2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon(英飛凌)/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝標(biāo)準(zhǔn)封裝/TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB的IGB03N120H2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
描述
IGB03N120H2ATMA1
Infineon Technologies
管件
2.8V @ 15V,3A
290μJ
標(biāo)準(zhǔn)
9.2ns/281ns
800V,3A,82 歐姆,15V
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面貼裝型
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
PG-TO263-3-2
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
深圳市高捷芯城科技有限公司
肖先生
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