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IGB03N120H2ATMA1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IGB03N120H2ATMA1參考圖片

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原廠料號(hào)：IGB03N120H2ATMA1品牌：Infineon Technologies

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IGB03N120H2ATMA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon Technologies生產(chǎn)封裝PG-TO263-3/TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的IGB03N120H2ATMA1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    IGB03N120H2ATMA1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說(shuō)明：

    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 9.6A 3-Pin(2+Tab) TO-263

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IGB03N120H2ATMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，3A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    290μJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    9.2ns/281ns

  • 測(cè)試條件：

    800V，3A，82 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO263-3-2

  • 描述：

    IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市斌騰達(dá)科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    趙小姐

  • 手機(jī)：

    13049883113

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82815082

  • 傳真：

    0755-82815039

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)501棟518

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