首頁>IGB50N60TATMA1>詳情

IGB50N60T 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IGB50N60T參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產品規(guī)格書

訂購數量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：IGB50N60T品牌：INFINEON

全新原裝假一賠十

IGB50N60T是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產封裝50A,600V,不帶D/TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的IGB50N60T晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IGB50N60T

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內容頁數：

    12 頁

  • 文件大?。?/span>

    467.71 kb

  • 資料說明：

    Low Loss IGBT in TrenchStop technology

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    IGB50N60TATMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，50A

  • 開關能量：

    2.6mJ

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    26ns/299ns

  • 測試條件：

    400V，50A，7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應商器件封裝：

    PG-TO263-3-2

  • 描述：

    IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2

供應商

  • 企業(yè)：

    上海意淼電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    吳先生

  • 手機：

    13681678667

  • 詢價：
  • 電話：

    021-61316768

  • 傳真：

    021-61316867/021-64560311

  • 地址：

    上海市寶山區(qū)大場鎮(zhèn)錦秋路699弄錦秋花園

相近型號