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IGP10N60T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IGP10N60T
廠商型號

IGP10N60T
參數(shù)屬性

IGP10N60T 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 20A TO220-3
功能描述

Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology
IGBT 600V 20A TO220-3
文件大小

357.73 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-16 22:59:00

IGP10N60T規(guī)格書詳情

IGP10N60T屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IGP10N60T晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    IGP10N60TXKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT，溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.05V @ 15V，10A

  • 開關(guān)能量：

    430μJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    12ns/215ns

  • 測試條件：

    400V，10A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO220-3-1

  • 描述：

    IGBT 600V 20A TO220-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon(英飛凌)
23+
TO-220
942
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Infineon/英飛凌
21+
PG-TO220-3
6000
原裝現(xiàn)貨正品
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20000
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Infineon/英飛凌
2021+
PG-TO220-3
9600
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Infineon(英飛凌)
23+
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Infineon/英飛凌
23+
PG-TO220-3
25000
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Infineon(英飛凌)
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Infineon/英飛凌
21+
PG-TO220-3
6820
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