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IHW15N120R2分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IHW15N120R2
廠商型號

IHW15N120R2

參數(shù)屬性

IHW15N120R2 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 30A 357W TO247-3

功能描述

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
IGBT 1200V 30A 357W TO247-3

文件大小

365.16 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-1 23:00:00

IHW15N120R2規(guī)格書詳情

IHW15N120R2屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IHW15N120R2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

Features:

? Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage

? Body diode clamps negative voltages

? Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

? Low EMI

? Qualified according to JEDEC1 for target applications

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

? Inductive Cooking

? Soft Switching Applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IHW15N120R2

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.75V @ 15V,15A

  • 開關(guān)能量:

    900μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    -/282ns

  • 測試條件:

    600V,15A,14.8 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT 1200V 30A 357W TO247-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON/英飛凌
23+
NA/
9590
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
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INFINEON
23+
20A,1200V
20000
全新原裝假一賠十
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INF
2020+
TO-247
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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INFINEON/英飛凌
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TO-3P
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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公司大量全新現(xiàn)貨 隨時可以發(fā)貨
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