首頁(yè)>IHW20N120R2>詳情

IHW20N120R2 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

IHW20N120R2參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠(chǎng)料號(hào)：IHW20N120R2品牌：Infineon

原裝正品,假一罰十

IHW20N120R2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-247/TO-247-3的IHW20N120R2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    IHW20N120R2

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱(chēng)：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大小：

    201.5 kb

  • 資料說(shuō)明：

    HighSpeed 2-Technology

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IHW20N120R2

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    NPT，溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.75V @ 15V，20A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    1.2mJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    -/359ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，20A，15 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO247-3-1

  • 描述：

    IGBT 1200V 40A 330W TO247-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王先生/綦先生【原裝正品】

  • 手機(jī)：

    18616352679

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    021-32301707

  • 地址：

    上海市靜安區(qū)海寧路1399號(hào)/北京市海淀區(qū)中海園電子市場(chǎng)/青島市城陽(yáng)區(qū)正陽(yáng)路205號(hào)

相近型號(hào)