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首頁(yè)>IHW20N120R5XKSA1>芯片詳情
IHW20N120R5XKSA1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌
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原廠料號(hào):IHW20N120R5XKSA1品牌:INFINEON
查現(xiàn)貨到京北通宇商城
IHW20N120R5XKSA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝con/TO-247-3的IHW20N120R5XKSA1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
IHW20N120R5XKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類(lèi)別:
- 系列:
TrenchStop?
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
1.75V @ 15V,20A
- 開(kāi)關(guān)能量:
750μJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
-/260ns
- 測(cè)試條件:
600V,20A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TO247-3
- 描述:
IGBT 1200V 40A TO247-3
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
王女士
- 手機(jī):
13969210552
- 詢(xún)價(jià):
- 電話(huà):
13969210552
- 地址:
深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)城市商業(yè)中心3204
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