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IHW25N120R2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IHW25N120R2
廠商型號

IHW25N120R2

參數(shù)屬性

IHW25N120R2 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 50A 365W TO247-3

功能描述

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
IGBT 1200V 50A 365W TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

407.7 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-6 17:10:00

IHW25N120R2規(guī)格書詳情

IHW25N120R2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IHW25N120R2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features:

? Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage

? Body diode clamps negative voltages

? Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

? NPT technology offers easy parallel switching capability due to

positive temperature coefficient in VCE(sat)

? Low EMI

? Qualified according to JEDEC1 for target applications

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

? Inductive Cooking

? Soft Switching Applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IHW25N120R2FKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,25A

  • 開關(guān)能量:

    1.59mJ

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    -/324ns

  • 測試條件:

    600V,25A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT 1200V 50A 365W TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON/英飛凌
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PBFREE
990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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