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IHW20N120R3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IHW20N120R3
廠商型號

IHW20N120R3

參數(shù)屬性

IHW20N120R3 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 40A 310W TO247-3

功能描述

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
IGBT 1200V 40A 310W TO247-3

絲印標(biāo)識

H20R1203

封裝外殼

PG-TO247-3 / TO-247-3

文件大小

800.28 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-19 15:22:00

IHW20N120R3規(guī)格書詳情

IHW20N120R3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IHW20N120R3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

1. Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only

2. Low EMI

3. Qualified according to JESD-022 for target applications

4. Pb-free lead plating; RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IHW20N120R3FKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    TrenchStop?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    950μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    -/387ns

  • 測試條件:

    600V,20A,15 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT 1200V 40A 310W TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON
2018+
TO-247
6000
全新原裝正品現(xiàn)貨,假一賠佰
詢價
INFINEON/英飛凌
24+
TO-3P
18500
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價銷售
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INFINEON/英飛凌
22+
TO-247
14100
原裝正品
詢價
INFINEON/英飛凌
22+
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9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單!
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18+
TO-247
5990
特價質(zhì)量保證,假一賠十,公司現(xiàn)貨庫存,原裝進(jìn)口
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18+
TO-247
85600
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
詢價
Infineon(英飛凌)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
7000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
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INFINEON
23+
TO-3P
5000
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23+
TO247
7000
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