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IIRFI4110G	文件：300.67 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IIRFP4110	文件：335.25 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB4110	文件：137.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB4110	文件：843.85 Kbytes Page：9 Pages	100VN-ChannelMOSFET Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dt Ruggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanche SOA EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability LeadFree RoHSCompliant,Halogen-Free VDS(V)=100V ID=120A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRFB4110	文件：815.41 Kbytes Page：9 Pages	100VN-ChannelMOSFET Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dt Ruggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanche SOA Enhancedbod	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFB4110G	文件：338.71 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB4110GPBF	文件：308.74 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Lead-Free Halogen-Free Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupp	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4110PBF	文件：710.29 Kbytes Page：8 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanche SOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSw	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4110PBF	文件：350.1 Kbytes Page：9 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4110QPBF	文件：306.08 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability 175°COperatingTemperature Automotive[Q101]Qualified Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinS	IRF International Rectifier	IRF
IRFI4110G	文件：300.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFI4110GPBF	文件：289.78 Kbytes Page：8 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFI4110GPBF	文件：555.28 Kbytes Page：9 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFP4110	文件：335.25 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFP4110	文件：733.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=100V,ID=180A,RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFP4110PBF	文件：288.71 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS100V RDS(on)typ.3.7m? max.4.5m? ID(SiliconLimited)180A ID(PackageLimited)120A Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Aplications	IRF International Rectifier	IRF
IRFP4110PBF	文件：294.22 Kbytes Page：8 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRHF4110	文件：460.79 Kbytes Page：12 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE	IRF International Rectifier	IRF
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IRHQ4110	文件：128.949 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACEMOUNT(LCC-28)	IRF International Rectifier	IRF

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更多IIRFI4110G供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 11:03:00

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