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IKP10N60TXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 20A 110W TO220-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKU10N60R	文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages	RC-DriveandRC-DriveFast	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKU10N60R	文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages	??C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFBL10N60A	文件：117.13 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IXFA10N60P	文件：153.96 Kbytes Page：4 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFET Polar3?HiPerFET?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?InternationalStandardPackages ?FastIntrinsicRectifier ?AvalancheRated ?LowRDS(ON)andQG ?LowPackageInductance Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?S	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFA10N60P	文件：252.41 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFA10N60P	文件：332.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=740mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH10N60	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM10N60	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM10N60	文件：317.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFP10N60	文件：296.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.74Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFP10N60P	文件：153.96 Kbytes Page：4 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFET Polar3?HiPerFET?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?InternationalStandardPackages ?FastIntrinsicRectifier ?AvalancheRated ?LowRDS(ON)andQG ?LowPackageInductance Advantages ?HighPowerDensity ?EasytoMount ?S	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP10N60P	文件：252.41 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP10N60P	文件：396.93 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=740mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching ·DC-DCConverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXGA10N60	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGA10N60A	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXGH10N60A	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXGP10N60A	文件：56.25 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IKP10N60TXKSA1
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
系列：
TrenchStop?
包裝：
管件
IGBT 類型：
NPT，溝槽型場截止
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.05V @ 15V，10A
開關(guān)能量：
430μJ
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
12ns/215ns
測試條件：
400V，10A，23 歐姆，15V
工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：
PG-TO220-3-1
描述：
IGBT 600V 20A 110W TO220-3

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IKP10N60TXKSA1	Infineon Technologies	24+	TO-220-3	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
深圳市天芯威科技有限公司	IKP10N60TXKSA1	Infineon(英飛凌)	23+		25650	新到現(xiàn)貨,只做原裝進口	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	IKP10N60TXKSA1	HEIMANN	23+	CAN-3	69820	終端可以免費供樣,支持BOM配單!	詢價
深圳市艾宇欣科技有限公司	IKP10N60TXKSA1	Infineon	1931+	N/A	493	加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物	詢價
艾睿國際（香港）有限公司	IKP10N60TXKSA1	INF	2021+	SMD	100500	一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價
深圳市科雨電子有限公司	IKP10N60TXKSA1	INFINEON	1809+	TO220-3	3675	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市易訊博科技有限公司	IKP10N60TXKSA1	Infineon	22+	NA	100	加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IKP10N60TXKSA1	Infineon Technologies	22+	TO2203	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
深圳市芯福林電子科技有限公司	IKP10N60TXKSA1	Infineon Technologies	21+	TO2203	13880	公司只售原裝,支持實單	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IKP10N60TXKSA1	INFINEON/英飛凌	21+	TO-220-3	9800	只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!	詢價

更多IKP10N60TXK供應(yīng)商更新時間2025-1-11 17:34:00

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