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首頁(yè)>IKW75N65ET7XKSA1>芯片詳情
IKW75N65ET7 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌
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原廠(chǎng)料號(hào):IKW75N65ET7品牌:INFINEON?
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IKW75N65ET7是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON?/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-247/TO-247-3的IKW75N65ET7晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
IKW75N65ET7XKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類(lèi)別:
- 系列:
Automotive, AEC-Q101, TrenchStop?
- 包裝:
管件
- IGBT 類(lèi)型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
1.65V @ 15V,75A
- 開(kāi)關(guān)能量:
2.17mJ(開(kāi)),1.23mJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
28ns/310ns
- 測(cè)試條件:
400V,75A,4.7 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TO247-3
- 描述:
IKW75N65ET7XKSA1
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市芯狀元科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
王總
- 手機(jī):
13715198985
- 詢(xún)價(jià):
- 電話(huà):
0755-82550713
- 地址:
深圳市福田區(qū)沙頭街道金地社區(qū)沙嘴路117號(hào)椰樹(shù)花園5棟1單元402
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