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IRFM250D

N–CHANNELPOWERMOSFET

VDSS200V ID(cont)27.4A RDS(on)0.100? FEATURES ?N–CHANNELMOSFET ?HIGHVOLTAGE ?INTEGRALPROTECTIONDIODE ?HERMETICISOLATEDTO-254PACKAGE ?CERAMICSURFACEMOUNTPACKAGE OPTION

SEME-LAB

Seme LAB

IRFN250

POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=200V,Rds(on)=0.100ohm,Id=27.4A)

RDS(on)0.100? ID27.4A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-estab

IRF

International Rectifier

IRFN250

N??HANNELPOWERMOSFET

FEATURES ?HERMETICALLYSEALEDSURFACEMOUNTPACKAGE ?SMALLFOOTPRINT–EFFICIENTUSEOFPCBSPACE. ?SIMPLEDRIVEREQUIREMENTS ?LIGHTWEIGHT ?HIGHPACKINGDENSITIES

SEME-LAB

Seme LAB

IRFN250

SimpleDriveRequirements

IRF

International Rectifier

IRFN250SMD

N-CHANNELPOWERMOSFET

SEME-LAB

Seme LAB

IRFP250

N-ChannelPowerMosfets

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

IRFP250

N-CHANNEL200V-0.073ohm-33ATO-247PowerMeshIIMOSFET

DESCRIPTION ThePowerMESH?IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY?.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=0.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

IRFP250

200VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planar,DMOStechnology. Features ?32A,200V,RDS(on)=0.085?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical95nC) ?LowCrss(typical75pF) ?Fastswitching ?100ava

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFP250

N-Channel(HexfetTransistors)

IRF

International Rectifier

IRFP250

PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.075ohm,Id=30A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    ILD250

  • 制造商：

    Vishay Semiconductor Opto Division

  • 類別：

    隔離器 > 光隔離器 - 晶體管，光電輸出

  • 包裝：

    散裝

  • 電壓 - 隔離：

    5300Vrms

  • 電流傳輸比（最小值）：

    50% @ 10mA

  • 輸入類型：

    AC，DC

  • 輸出類型：

    晶體管

  • 電壓 - 輸出（最大值）：

    30V

  • 電壓 - 正向 (Vf)（典型值）：

    1.2V

  • Vce 飽和壓降（最大）：

    400mV

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 100°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    8-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 描述：

    OPTOISO 5.3KV 2CH TRANS 8DIP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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2000
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