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IMBG65R163M1H

650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBG65R163M1HXTMA1

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

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IMT65R163M1H

MOSFET650VCoolSiCaM1SiCTrenchPowerDevice

Features ?Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQf ?Superiorgateoxidereliability ?Tj,max=175°Candexcellentthermalbehavior ?LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature ?Increasedavalanchecapability ?Compatib

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更多IMBG65R163M1H供應商 更新時間2025-1-2 10:02:00

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