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IMT65R260M1H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IMT65R260M1H |
| 參數(shù)屬性 | IMT65R260M1H 封裝/外殼為8-PowerSFN；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：SILICON CARBIDE MOSFET |
| 功能描述 | MOSFET 650 V CoolSiCa M1 SiC Trench Power Device |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | PG-HSOF-8 / 8-PowerSFN |
| 文件大小 |
1.4699 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-3 12:26:00 |
IMT65R260M1H規(guī)格書詳情
IMT65R260M1H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IMT65R260M1H晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。
Features
? Optimized switching behavior at higher currents
? Commutation robust fast body diode with low Qf
? Superior gate oxide reliability
? Tj,max=175°C and excellent thermal behavior
? Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature
? Increased avalanche capability
? Compatible with standard drivers (recommended driving voltage: 0V-18V)
? Kelvin source provides up to 4 times lower switching losses
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
IMT65R260M1HXUMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 系列：
CoolSiC?
- 包裝：
卷帶（TR）
- 技術(shù)：
SiC（碳化硅結(jié)晶體管）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：
18V
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-HSOF-8-1
- 封裝/外殼：
8-PowerSFN
- 描述：
SILICON CARBIDE MOSFET
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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