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IMT65R260M1HXUMA1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-單個(gè)-英飛凌

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原廠料號(hào)：IMT65R260M1HXUMA1品牌：Infineon Technologies

資料說(shuō)明：SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R260M1HXUMA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝8-PowerSFN的IMT65R260M1HXUMA1晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

  • 芯片型號(hào)：

    imt65r260m1hxuma1

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說(shuō)明：

    SILICON CARBIDE MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IMT65R260M1HXUMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 系列：

    CoolSiC?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 技術(shù)：

    SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：

    18V

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-HSOF-8-1

  • 封裝/外殼：

    8-PowerSFN

  • 描述：

    SILICON CARBIDE MOSFET

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