IPC218N06N3X7SA1_分立半導體產品 晶體管-FETMOSFET-單個-英飛凌

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原廠料號:IPC218N06N3X7SA1品牌:Infineon Technologies

資料說明:MV POWER MOS

IPC218N06N3X7SA1是分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個。制造商INFINEON/英飛凌生產封裝模具的IPC218N06N3X7SA1晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用,它們具有高頻開關特性,同時又能承載大電流,使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

  • 芯片型號:

    ipc218n06n3x7sa1

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  • 企業(yè)簡稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明:

    MV POWER MOS

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 產品編號:

    IPC218N06N3X7SA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 系列:

    OptiMOS? 3

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術:

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    10V

  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):

    100 毫歐 @ 2A,10V

  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):

    4V @ 196μA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應商器件封裝:

    模具

  • 封裝/外殼:

    模具

  • 描述:

    MV POWER MOS

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