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IMW65R027M1HXKSA1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-單個(gè)-英飛凌

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原廠料號(hào)：IMW65R027M1HXKSA1品牌：Infineon Technologies

資料說明：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

IMW65R027M1HXKSA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝的IMW65R027M1HXKSA1晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

  • 芯片型號(hào)：

    imw65r027m1hxksa1

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明：

    MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IMW65R027M1HXKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    47A（Tc）

  • 描述：

    MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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