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IMT65R083M1HXUMA1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-單個-英飛凌

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原廠料號:IMT65R083M1HXUMA1品牌:Infineon Technologies

資料說明:SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R083M1HXUMA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝8-PowerSFN的IMT65R083M1HXUMA1晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

  • 芯片型號:

    imt65r083m1hxuma1

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明:

    SILICON CARBIDE MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    IMT65R083M1HXUMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 系列:

    CoolSiC?

  • 包裝:

    管件

  • 技術(shù):

    SiC(碳化硅結(jié)晶體管)

  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    18V

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-HSOF-8-1

  • 封裝/外殼:

    8-PowerSFN

  • 描述:

    SILICON CARBIDE MOSFET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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