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IMW65R048M1H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IMW65R048M1H |
| 參數(shù)屬性 | IMW65R048M1H 包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
| 功能描述 | 650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device |
| 文件大小 |
1.47512 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
15 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-11 23:00:00 |
IMW65R048M1H規(guī)格書詳情
IMW65R048M1H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IMW65R048M1H晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
IMW65R048M1HXKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 包裝：
管件
- 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：
39A（Tc）
- 描述：
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
21+ |
PG-TO247-3 |
6000 |
原裝現(xiàn)貨正品 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
2021+ |
PG-TO247-3 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨，歡迎詢價(jià) |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
PG-TO247-3 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO247-3 |
15500 |
英飛凌優(yōu)勢(shì)渠道全系列在售 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
2年內(nèi) |
T0-247 |
16500 |
英博爾原裝優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨訂貨渠道商 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
22+ |
NA |
27090 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
PG-TO247-3 |
25630 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
PG-TO247-3 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
Infineon |
24+ |
PG-TO247-3 |
9000 |
只做原裝正品 有掛有貨 假一賠十 |
詢價(jià) |
