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IMW65R048M1H

Marking：65R048M1；Package：PG-TO247-3；650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMW65R048M1HXKSA1

包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) 描述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

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IMBG65R048M1H

650VCoolSiC?M1SiCTrenchPowerDevice

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IMT65R048M1H

MOSFET650VCoolSiCaM1SiCTrenchPowerDevice

Features ?Optimizedswitchingbehaviorathighercurrents ?CommutationrobustfastbodydiodewithlowQf ?Superiorgateoxidereliability ?Tj,max=175°Candexcellentthermalbehavior ?LowerRDS(on)andpulsecurrentdependencyontemperature ?Increasedavalanchecapability ?Compatib

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IMZA65R048M1H

650VCoolSiC?M1SiCTrenchPowerDevice

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INFINEON
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更多IMW65R048M1H供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-24 17:30:00

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