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IMW65R072M1H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IMW65R072M1H |
| 參數(shù)屬性 | IMW65R072M1H 包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個；產(chǎn)品描述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
| 功能描述 | 650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device |
| 文件大小 |
1.45924 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-12-24 17:37:00 |
IMW65R072M1H規(guī)格書詳情
IMW65R072M1H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IMW65R072M1H晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IMW65R072M1HXKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 包裝：
管件
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：
26A（Tc）
- 描述：
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
21+ |
PG-TO247-3 |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
2022+ |
PG-TO247-3 |
48000 |
只做原裝,原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO247-3 |
15500 |
英飛凌優(yōu)勢渠道全系列在售 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
TO-247-3 |
3652 |
原廠正品現(xiàn)貨供應(yīng)SIC全系列 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
PG-TO247-3 |
6000 |
原裝現(xiàn)貨正品 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
2023+ |
PG-TO247-3 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
PG-TO247-3 |
25630 |
原裝正品 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
PG-TO247-3 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
2022+ |
PG-TO247-3 |
48000 |
只做原裝,絕對原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
PG-TO247-3 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 |
