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IMZA65R027M1H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料
廠商型號(hào) |
IMZA65R027M1H |
參數(shù)屬性 | IMZA65R027M1H 包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
功能描述 | 650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device |
文件大小 |
1.48466 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
15 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱(chēng) | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-5 23:00:00 |
IMZA65R027M1H規(guī)格書(shū)詳情
IMZA65R027M1H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IMZA65R027M1H晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開(kāi)關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類(lèi)晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
IMZA65R027M1HXKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類(lèi)別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
- 包裝:
管件
- 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):
59A(Tc)
- 描述:
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飛凌 |
21+ |
PG-TO247-4-3 |
6000 |
原裝現(xiàn)貨正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷(xiāo),現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
PG-TO247-4-3 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon Technologies |
23+ |
TO-247-3 |
3652 |
原廠正品現(xiàn)貨供應(yīng)SIC全系列 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON |
22+23+ |
TO-247-3 |
8000 |
新到現(xiàn)貨,只做原裝進(jìn)口 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON |
22+ |
NA |
8310 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
PG-TO247-4-3 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
TO-247-4 |
7962 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
TO-247-3 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷(xiāo)售 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
TO-247-3 |
400 |
原裝正品 |
詢(xún)價(jià) |