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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IR530	文件：509.14 Kbytes Page：6 Pages	CiscoIR530SeriesResilientMeshRangeExtenders	CISCOCisco Systems, Inc. 思科	CISCO
IRC530	文件：226.02 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.16ohm,Id=14A) HEXFET?PowerMOSFET VDSS=100V RDS(on)=0.16Ω ID=14A	IRF International Rectifier	IRF
IRC530PBF	文件：1.30865 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF530	文件：354.18 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRF530	文件：481.96 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATE PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSPOWERFET14AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.140Ω	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
IRF530	文件：157.16 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
IRF530	文件：180.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,20A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpower,supplies,UPS,ACandDCmotorcontrol,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF530	文件：187.75 Kbytes Page：3 Pages	NCHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
IRF530	文件：281.94 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL100V-0.115W-14ATO-220LOWGATECHARGESTripFET??IIPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
IRF530	文件：390.01 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETsAvalancheEnergyRated	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRF530	文件：47.74 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS N-channelenhancementmodePOWERMOSfieldeffecttransistors.EasydriveandveryfastswitchingtimesmakethesePOWERMOStransistorsidealforhighspeedswitchingapplications.ApplicationsincludeDC/DCconverters,UPSbatterychargers,s	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
IRF530	文件：175.84 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.16ohm,Id=14A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF530	文件：608.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF530	文件：192.7 Kbytes Page：7 Pages	N??hannelEnhancement??odeSiliconGate TMOSE?FET.?PowerFieldEffectTransistor N?ChannelEnhancement?ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain?to?sourcediodewithafastrecoverytime.Designedfo	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
IRF530	文件：356.3 Kbytes Page：6 Pages	14.0A100VNCHANNELPOWERMOSFET	FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司	FCI
IRF530	文件：153.03 Kbytes Page：3 Pages	14A,100V,0.160Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF530	文件：282.16 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF530	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商	etc2
IRF530	文件：158.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF530	文件：332.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IN530EM
制造商：
Hubbell Premise Wiring
制造商：
Hubbell Wiring Device-Kellems
功能描述：
PS, IEC, REPL, INTERIOR, 5W, 20A

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市龍騰翼電子科技有限公司	IN5312		2000		15		詢(xún)價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	IN5314		23+	NA	550	專(zhuān)做原裝正品,假一罰百!	詢(xún)價(jià)
深圳市榮澤信電子科技有限公司	IN5333b	ON	23+	DIP	40000	全新原裝深圳現(xiàn)貨庫(kù)存,特價(jià)·	詢(xún)價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IN5333B	MOT	23+	DIP	5000	原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
上海意淼電子科技有限公司	IN5333b	MOT	23+	DIP	3000	全新原裝假一賠十	詢(xún)價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	IN5333b	VISHAYMAS	22+23+	DIP	51778	絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市百域芯科技有限公司	IN5333b	ON/安森美	21+		30000	百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成可開(kāi)13點(diǎn)增值稅	詢(xún)價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IN5333B	ON/安森美	23+	DIP	69000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢(xún)價(jià)
深圳市能元時(shí)代電子有限公司	IN5333B	ON	23+	DIP	53325	##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù)	詢(xún)價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IN5339	ON	23+	DO41	7635	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢(xún)價(jià)

更多IN530EM供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 8:00:00

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