MOSFET高頻放大電路圖

2013-10-26 16:00:00
  •   單閘極mos fet 前置放大器(1)vhf高頻放大電路以往都是以雙極電晶體(bipolar transist)為主流,但是現(xiàn)在大都以fet取代之。圖2-1便是其代表性電路,2sk241(東芝)系vhf用的fet,功率增益可達28db(@100mhz),是最適於vh

單閘極mos fet 前置放大器(1)vhf高頻放大電路以往都是以雙極電晶體(bipolar transist)為主流,但是現(xiàn)在大都以fet取代之。圖2-1便是其代表性電路,2sk241(東芝)系vhf用的fet,功率增益可達28db(@100mhz),是最適於vhf接收器的高頻放大級使用的。由於閘極的動作點是零偏壓(zero bias),所以電路的結(jié)構(gòu)相當(dāng)簡單,電路的全部元件共有六個,配合表2-1所示之電感及電容就能適用於各種頻率的高頻放大電路。泄極電流為9ma,在電源電壓為6~12v之范圍內(nèi),泄極電流都保持一定。

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