瞬態(tài)電壓抑制二極管通常采用二極管式的軸向引線封裝，如圖所示。它的最基本核心單元為芯片，芯片是由半導體硅材料擴散而制成的，芯片有單極型和雙極型兩種結構。單極型瞬態(tài)二極管有一個pn結;雙極型瞬態(tài)二極管有兩個脅結，它們是利用現代半導體制作工藝在同一硅片的正反兩個面上制作出的兩個背對背的pn結。瞬態(tài)電壓抑制二極管芯片的pn結經過玻璃純化保護由引線引出，再由改性環(huán)氧樹脂封裝而成。
圖：瞬態(tài)電壓抑制二極管的一般結構 來源:university
