IRLML5203TRPBF INFINEON MOSFET，P CH -30V -3A SOT23
IRLML5203TRPBF產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)格
高度 1.02mm
晶體管材料 Si
類別 功率 MOSFET
長(zhǎng)度 3.04mm
典型輸入電容值@Vds 510 pF@ -25 V
通道模式 增強(qiáng)
安裝類型 表面貼裝
每片芯片元件數(shù)目 1
最大漏源電阻值 165 mΩ
通道類型 P
Board Level Components Y
最高工作溫度 +150 °C
最大柵閾值電壓 2.5V
最低工作溫度 -55 °C
最大功率耗散 1.25 W
最大柵源電壓 ±20 V
寬度 1.4mm
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
最小柵閾值電壓 1V
最大漏源電壓 30 V
典型接通延遲時(shí)間 12 ns
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 88 ns
封裝類型 SOT-23
最大連續(xù)漏極電流 3 A
引腳數(shù)目 3
晶體管配置 單
典型柵極電荷@Vgs 9.5 nC
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 30 V
晶體管類型 1 P-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance 165 mOhms
工廠包裝數(shù)量 3000
品牌 Infineon Technologies
封裝/外殼 SOT-23-3
身高 1.1 mm
封裝 Reel
長(zhǎng)度 2.9 mm
通道數(shù) 1 Channel
Qg - Gate Charge 9.5 nC
Pd - Power Dissipation 1.25 W
Id - Continuous Drain Current - 3 A
晶體管極性 P-Channel
技術(shù) Si
RoHS RoHS Compliant
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美國(guó)人真的是喜歡打官司，而官司拖得時(shí)間長(zhǎng)也是司空見(jiàn)慣了，這不一個(gè)集體訴訟始于2013年，針對(duì)的是iPhone 4 ，4s ，5 的電源鍵問(wèn)題的。這個(gè)集體訴訟要在2019年10月25日圣地亞哥開(kāi)庭了。這個(gè)集體訴訟主要針對(duì)4 ，4s ，5機(jī)器的電源鍵與靜音按鍵設(shè)計(jì)問(wèn)題與保修問(wèn)題展開(kāi)的。
雖然蘋(píng)果在2014年4月已經(jīng)開(kāi)始了iPhone 5 的質(zhì)量計(jì)劃，但是并沒(méi)有影響集體訴訟的進(jìn)程。
當(dāng)年也關(guān)注了這個(gè)集體訴訟，而且最近兩天也收到了相關(guān)的郵件。不知道會(huì)不會(huì)出現(xiàn)，手機(jī)都找不到了最后還能賠錢的事兒出現(xiàn)。
