KLM4G1FE3B-B001 是由三星電子制造的一款 NAND 閃存芯片,以下是其詳細介紹:
基本信息
容量:4GB.
類型:NAND Flash,有 SLC(Single Level Cell)/MLC(Multi Level Cell)兩種接口類型.
工作電壓:2.7V 到 3.6V.
封裝類型:采用 FBGA(Fine Ball Grid Array)封裝,引腳數(shù)為 153.
工作溫度范圍:-40°C 到 + 85°C.
數(shù)據(jù)保持時間:在正常條件下可達 10 年.
性能特點
讀寫速度:讀操作時間典型值為 40ns,寫操作時間典型值為 200ns,能夠滿足移動設備等對數(shù)據(jù)讀寫速度的要求,快速加載和存儲數(shù)據(jù),如快速啟動應用程序、存儲高清照片和視頻等.
耐久性:支持成千上萬次擦寫周期,可長期穩(wěn)定地使用,適用于頻繁讀寫數(shù)據(jù)的應用場景,如移動設備中的系統(tǒng)更新、數(shù)據(jù)緩存等.
引腳功能
DQS:數(shù)據(jù)選通信號.
DQ(0:7):數(shù)據(jù)回傳引腳,最多支持 8 位并行數(shù)據(jù)傳輸.
CS#:芯片選擇信號.
CLK:時鐘信號,用于驅動數(shù)據(jù)傳輸速度.
WE# 和 RE#:寫使能和讀使能信號,分別用于控制數(shù)據(jù)的寫入和讀出操作.
VCC:正電源輸入.
VSS:地線引腳.
應用領域
移動設備:如智能手機和平板電腦,可存儲操作系統(tǒng)、應用程序、用戶數(shù)據(jù)等,滿足高分辨率照片、視頻和大量應用程序的存儲需求,為用戶提供豐富的功能和良好的使用體驗.
便攜式游戲設備:能夠快速加載游戲數(shù)據(jù),提升游戲運行的流暢性,減少游戲加載時間,增強用戶的游戲體驗.
嵌入式應用:在物聯(lián)網(wǎng)設備中,可用于數(shù)據(jù)記錄和實時傳輸,如智能家居中的傳感器數(shù)據(jù)存儲、車聯(lián)網(wǎng)中的車輛狀態(tài)數(shù)據(jù)記錄等,為設備的穩(wěn)定運行和數(shù)據(jù)管理提供支持.
工業(yè)控制系統(tǒng):可用于工業(yè)自動化和控制領域的數(shù)據(jù)采集和處理,實現(xiàn)實時監(jiān)測和反饋,確保工業(yè)生產(chǎn)過程的高效、穩(wěn)定運行.
KLM4G1FE3B-B001存儲器芯片
2024-12-21 17:06:00
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KLM4G1FE3B-B001
供應商
- 企業(yè):
深圳市匯萊威科技有限公司
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